世界の「ワイドバンドギャップパワー(WBG)パワーデバイス市場」調査2022は、最新のトレンド、各地域での需要の高まり、地域の範囲でのトップキープレーヤーの更新、および成長収益に関する貴重な洞察を提供します。ワイドバンドギャップパワー(WBG)パワーデバイス市場レポートは、予測期間中の主要な重要な戦略、事業開発、競争力のある景観分析、およびビジネス上の課題をカバーしています。レポートは、業界の種類、アプリケーション、地域を含む業界のさまざまなセグメントとサブセグメントを評価します。
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ワイドバンドギャップ(WBG)パワーデバイスとは、従来のシリコンベースのパワーデバイスよりもバンドギャップが広い半導体材料およびデバイスのクラスを指します。これらの材料には、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)が含まれる。WBGパワーデバイスには、高電圧と温度定格、より高速なスイッチング速度、低損失など、従来のシリコンパワーデバイスに比べていくつかの利点があります。これらの特性により、WBGパワーデバイスは、電気自動車や再生可能エネルギーシステム用のパワーインバーターや高周波電力変換システムなどの高出力および高周波アプリケーションでの使用に適しています。
世界のワイドバンドギャップパワー(WBG)パワーデバイス市場調査レポートで言及されている主要なプレーヤー:
インフィニオン、ローム、三菱、STマイクロ、富士、東芝、マイクロセミ、ユナイテッドシリコンカーバイド、GeneSic、Efficient Power Conversion(EPC)、GaN Systems、VisIC Technologies LTD、Transphorm。
ワイドバンドギャップパワー(WBG)パワーデバイスの最近の開発
ワイドバンドギャップ(WBG)パワーデバイスは、パワーエレクトロニクス業界で急速に成長している研究開発分野です。炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタおよびダイオードを含むこれらのデバイスは、従来のシリコンパワーデバイスに比べて次のようないくつかの利点を提供します。
- より高い電圧および温度定格:WBGデバイスは、従来のシリコンデバイスよりも高い電圧および温度レベルを処理できるため、高出力および高温アプリケーションに適しています。
- スイッチング速度が速い:WBGデバイスはシリコンデバイスよりも速くオンとオフを切り替えることができるため、効率の向上と電力損失の低減につながります。
- 低オン抵抗:WBGデバイスはシリコンデバイスよりもオン抵抗が低いため、電力損失が低く、効率が向上します。
WBGパワーデバイスの最近の開発には、次のものがあります。
- SiC MOSFET:SiC MOSFETは、電気自動車や再生可能エネルギーシステムなどの高出力アプリケーションでますます人気が高まっています。クリーやインフィニオンなどの多くの企業が、最大1700Vの電圧定格と最大600Aの電流定格を備えたSiC MOSFETを開発しています。
- GaN HEMT:GaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)は、ワイヤレス電力伝送やRFアンプなどの高周波アプリケーションでますます人気が高まっています。EPCやTransphormなどの企業は、最大600 Vの電圧定格と最大150 Aの電流定格を備えたGaN HEMTを開発しました。
- SiCショットキーダイオード:SiCショットキーダイオードは、ソーラーインバーターや電気自動車などの高出力アプリケーションでますます人気が高まっています。CREEやRohmなどの企業は、最大1700 Vの電圧定格と最大150 Aの電流定格を備えたSiCショットキーダイオードを開発しました。
全体として、WBGパワーデバイスは、従来のシリコンパワーデバイスと比較して性能と効率が向上しているため、幅広いアプリケーションでますます人気が高まっています。
世界のワイドバンドギャップパワー(WBG)パワーデバイス市場セグメンテーション:
市場セグメンテーション:タイプ別
GaNパワーデバイス、SiCパワーデバイス
市場セグメンテーション:アプリケーション別
家庭用電化製品, 自動車&輸送機器, 産業用, その他
レポートでカバーされている地理的セグメント:
➢ 北米(米国、カナダ、メキシコ)
➢ ヨーロッパ(ドイツ、フランス、英国、その他のヨーロッパ)
➢ アジア太平洋(日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア)
➢ 南米(ブラジル、アルゼンチン、その他の南米)
➢ 中東・アフリカ(サウジアラビア、アラブ首長国連邦、エジプト、その他の中東・アフリカ)
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